第284章 半导体进阶技术

    工厂会议室里，李明远站在一张巨大的蓝图前，向众人解释新园区的布局。

    这不是简单的扩建，而是一场革命。李明远的眼中闪烁着激情，

    我们要在这里建立龙国第一个现代化军工综合体，从材料到电子，从机械到软件，全部自主可控。

    会议结束后，老刘拉住李明远，老弟，你这计划太大了，三个月能见成效吗？

    李明远神秘地笑了笑，放心，我有办法。

    ……

    深夜的实验室里，只有李明远一人。

    李明远打开了系统，点开了物品栏中的北极熊国电子技术资料。

    就这点东西，也不知道够不够啊...李明远叹了口气。

    他仔细阅读着资料，试图理解其中的原理。

    北极熊国的电子技术虽然落后于敌国，但在某些领域有独特的思路，特别是在恶劣环境下的可靠性设计方面。

    随着阅读的深入，李明远感到一阵熟悉的眩晕，视野中开始出现闪烁的代码。

    【检测到宿主正在研究电子技术，悟性达标】

    【触发悟性逆天技能】

    【正在提取相关技术信息...】

    【提取完成，已生成完整技术资料包】

    李明远的眼前仿佛打开了一扇新的大门，海量的信息如潮水般涌入他的脑海：

    半导体物理学的基础理论、晶体管和集成电路的制造工艺、光刻机和制硅机的设计图纸

    【恭喜宿主获得电子科技革命技术方案】

    【资料内容包括：】

    【1.初代光刻机完整技术方案】

    分辨率：2微米级光刻工艺

    对准精度：±0.5微米

    光源：高压汞灯，波长365纳米

    可处理晶圆尺寸：最大4英寸

    投影系统：5:1缩小投影，分辨率1.5微米

    关键部件：精密光学系统，步进电机控制系统

    【2.制硅机完整方案】

    单晶硅拉制技术：直拉法（CZ法）

    纯度：9N（99.9999999%）

    晶向控制：＜100＞、＜111＞可选

    最大拉制直径：4英寸

    缺陷密度控制：＜1000个/平方厘米

    掺杂控制：硼、磷、砷精确掺杂技术

    【3.半导体基础理论】

    PN结物理模型及数学描述

    晶体管工作原理与设计公式

    半导体材料特性与参数表

    杂质掺杂控制理论

    热扩散与离子注入技术基础

    半导体器件失效分析方法

    【4.初级集成电路全套技术】

    小规模集成电路（SSI）设计方法

    中规模集成电路（MSI）核心电路模块

    基本逻辑门电路设计与优化

    运算放大器设计与制造

    数字-模拟转换器基础设计

    光刻胶配方与工艺参数

    掩膜版设计与制作技术

    芯片封装与测试标准

    【5.简化的半导体工厂设计方案】

    百级无尘室建设标准与方案

    关键设备布局与工艺流程

    质量控制点设置与检测方法

    适应现有（本章未完，请翻页）